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三星 Galaxy S9 將可能率先採用速度更快的 UFS 3.0 儲存元件

【此文章來自:Mashdigi

固態技術協會 (JEDEC)稍早公佈UFS 3.0版本標準JESD220D與JESD223D,另外也公佈UFS記憶卡1.1版本標準JESD220-2A,其中UFS 3.0將採用HS-G4設計規範,可讓單通道資料傳輸頻寬可達11.6Gbps,亦即為UFS 2.1採用HS-G3設計規範的傳輸頻寬2倍左右。而三星稍早已經透露將在今年第一季內推出首款採用UFS 3.0儲存元件的產品,因此將可能應用在即將推出的Galaxy S9系列機種

三星 Galaxy S9 將可能率先採用速度更快的 UFS 3.0 儲存元件

三星在推出Galaxy S6系列時宣布導入存取速度更快的UFS 2.1儲存元件,因此在Galaxy S9系列採用傳輸效率更高的UFS 3.0儲存元件似乎不算意外。但無論是Qualcomm Snapdragon 845,或是三星Exynos 9810的說明並未特別提及是否支援UFS 3.0,因此不確定若Galaxy S9系列支援此規範設計的儲存元件,是否藉由額外控制元件管理資料存放,或是直接透過處理器管理。

由於UFS 3.0設計規範可讓單通道資料傳輸頻寬可達11.6Gbps,配合UFS支援雙通道、雙向讀寫特性,因此資料傳輸頻寬最高可達23.2Gbps,對應每秒傳遞2.9GB資料量效果,對於存取資料越來越龐大,同時反應速度必須更快的智慧型手機發展,將有更好使用優勢。

另外,UFS 3.0規範也讓資料錯誤校正效率提昇,以2.5v電壓即可驅動,同時也支援新版NAND Flash設計,支援在攝氏零下40度至105度的極端溫度環境下正常使用,因此可應用在自動駕駛車輛或深度學習等進階需求。至於接腳部分則支援MIPI規範,其中接腳採MIPI M-PHY v4.1規範設計,而資料傳輸則依據MIPI UniProSM v1.8設計。

而UFS記憶卡1.1版本設計則加入相容HS-G1、HS-G2與HS-G3設計規範,而整體資料存取速度最高可達每秒1.5GB。

 
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紅茶店(yjl7489) 一般網友
發文: 2,430 經驗: 6,551
發表於 2018-02-01 10:25
從 Samsung S7 Edge 發送
看來安卓普遍遠比蘋果落後的速度能夠追上了嗎
如果你是個死忠品牌粉絲,那會是非常可悲的一件事情
jenny0419(jenny0419) 一般網友
發文: 24 經驗: 158
發表於 2018-02-01 11:12
只有充電還是堅持自己AFS嗎?!
MARS(mars1314) 一般網友
發文: 962 經驗: 4,262
發表於 2018-02-01 19:31
期待,等發表會那天看看了
Kuru Droid(tim1658) 一般網友
發文: 9,176 經驗: 22,817
發表於 2018-02-01 20:00
從 iPhone 發送
三星的韌體優化,悲劇
努力賺EP
Micro-SD(jinnim98177) 一般網友
發文: 439 經驗: 2,090
發表於 2018-02-01 20:47
期待它的發表~~
Puper note5(popeye12345) 一般網友
發文: 364 經驗: 1,802
發表於 2018-02-02 01:23
看來內存速度有望超越蘋果了 看來speed test 可期待一下
牧羊犬(ddt888068) 一般網友
發文: 14 經驗: 314
發表於 2018-02-02 06:57
從 ASUS Zenfone 4 發送
23.2Gbps, 要不要順便搭個Thunderbolt3啊XD
Julian(jyunyuan) 一般網友
發文: 70 經驗: 1,814
發表於 2018-02-05 16:49
持續進步讚!
MARS(mars1314) 一般網友
發文: 962 經驗: 4,262
發表於 2018-02-14 21:30
內存效果提升,規格就看怎麼配了

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